拥有完整的Trench Mos产品体系，电压范围从-12V~200V
G5 SGT 工艺设计,新型结构SGT制作方法,更低的Qg 和Ciss Coss Crss，提高EAS能力。
| 对比指标 | 普通Trench MOS | G5 SGT MOS |
|---|---|---|
| BVDSS | 60V | 60V |
| VGS | 100A | 100A |
| Qg | 58nC | 17.8nC |
| Ciss | 3450PF | 1625PF |
| Coss | 1522PF | 438PF |
| EAS | 101mJ | 180mJ |
拥有30V、40V、60V、80V、100V、150V、200V、250V、300V的产品系列
在同等面积一样的情况下，SGT最小导通电阻比Trench MOS更小，芯核产热小
大幅降低传导和开关损耗，明显提升系统效率
主要应用在电机驱动系统、逆变器、电源管理系统
已成功研发600V~1200V SJ MOSFET，采用多次外延工艺制作，与trench工艺相比，具有优异的抗EMI及抗浪涌能力，采用电荷平衡理论的器件结构，Ronsp明显下降，可集成快恢复二极管
